英语缩略词“IBE”经常作为“Ion Beam Etching”的缩写来使用,中文表示:“离子束刻蚀”。本文将详细介绍英语缩写词IBE所代表英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外,还有关于缩略词IBE的分类、应用领域及相关应用示例等。
以上为Ion Beam Etching的英文缩略词IBE的中文解释,以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
Si concave microlenses array Ar ion beam etching.
标签Si凹微透镜阵列氩离子束刻蚀(IBE)。
The16-step Fresnel lens had been fabricated by thin film deposition and ion beam etching and it has been used in refractive-diffractive CCD camera.
使用薄膜沉积法和离子束刻蚀(IBE)法制作16阶菲涅耳透镜,应用于折衍混合CCD相机。
Study on step sidewall tilt in ion beam etching of Fresnel lens
离子束刻蚀(IBE)过程中台阶侧壁倾斜现象研究
Acceptable Error of Etching Depth in Ion Beam Etching(IBE) Microlens
离子束蚀刻微透镜中蚀刻深度允许误差的研究
Fabrication of 128 × 128 Area Sipcon Field Emission Arrays Using Ar Ion Beam Etching(IBE)
128×128元硅场发射阵列的氩离子束刻蚀(IBE)制作
上述内容是“Ion Beam Etching”作为“IBE”的缩写,解释为“离子束刻蚀”时的信息,以及英语缩略词IBE所代表的英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
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